28nm工艺改进之处与进展

　　● 28nm工艺改进之处与进展

　　在芯片生产行业，Intel得益于旗下二十多家工厂的强大产能，产品一经发布，大规模的上市则会随后跟进。NVIDIA向来是一家无工厂半导体厂商，而AMD在2009年实现业务剥离之后，也走上了无工厂道路。实际上从Radeon HD 2000到现在，无论NVIDIA还是AMD都把芯片订单交给台积电TSMC完成，台积电完美的成本控制和较大的产能满足了全球主要GPU的供应任务，不过台积电也经常能够影响和干预行业发展节奏。

TSMC台积电官方网站

　　目前的GPU都已经在40nm工艺上碰到了“性能墙”，基本失去了继续提升的空间，新工艺势在必行。如果按照TSMC在2009年爆出的路线图，它将会在2010年年中的时候推出32nm GPU，2011年上半年推出28nm GPU。

　　在GPU制造领域制造商喜欢半代工艺，55nm是65nm的半代Half-node工艺，而40nm是45nm的半代工艺，我们本次看到的28nm工艺是Intel用来制造酷睿SNB架构32nm整代工艺Full-node的半代工艺。半代和整代的区别是半代工艺拥有更好的刻宽，所以通过改善聚焦的方式，半代工艺能够做出更小的晶体管。但是半代工艺导致的下游效应让Intel到现在都对这种所谓巧妙的蚀刻方式敬而远之。

TSMC在2009年的规划

　　不过在今年6月传出消息：据台湾媒体报道，AMD已经利用台积电28nmHKMG工艺完成了下代显卡“南方群岛”的流片工作(此前有消息称二月份就已搞定)，将在今年年底投入批量生产并正式发布。AMD高管昨日也重申，下代显卡会在年内推出。也就是说台积电28nm工艺的发展速度比我们预想的还要快，一切进展都显得非常顺利。

TSMC路线图与蓝宝石显卡配合（点击可放大）

　　使用最新的28nm工艺之后，GPU集成度在芯片面积不变的前提下会出现40%的提升，换句话说Cayman如果维持目前的规格将缩小40%面积，发热和功耗会得到非常好的控制。鉴于台积电没有使用Tri-Gate 3D制造工艺，晶体管数量不会出现异常增长，不过40%的潜力提升已经非常令人满意了。

不同半导体制程的面积缩小

　　28nm工艺在推出时间方面令人满意，台积电在2010年成功进行了28nm SRAM测试存储芯片试产，2011年2月已经进行了一次28nm的半导体芯片试产。在上个月末，多个消息来源确认，代号“开普勒”(Kepler)的NVIDIA下一代GPU芯片已经成功流片，台积电28nm工艺再次立功。不过台积电还需要更多时间让28nm工艺进一步成熟起来，开普勒最早也要明年初问世。