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台积电疯了:今年试产16nm明年进军10nm

  [  驱动之家 转载  ]     |  责编:林光楠
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    昨天三星和GlobalFoundries达成协议授权后者使用三星的14nm FinFET工艺,预计今年底开始投产。准备进入FinFET工艺的还有代工业老大台积电,而且速度前所未有的块。

    台积电公告称他们目前已经在试产16nm FinFET工艺,商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时,台积电还开发出了改进型的16nm FinFET+工艺,预计在2015年晚些时候量产。

    台积电预计大多数客户会从16nm FinFET工艺升级到16nm FinFET+工艺,因为后者的优势更大。

    与16nm FinFET相比,16nm FinFET+工艺在同样的功耗下性能提高了15%,在同样的频率下功耗则降低了30%,相比20nm工艺则会有40%的速度优势。

台积电疯了:今年试产16nm明年进军10nm

    此外,16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则是一样的,大部分要求都是互相兼容的,16nm FinFET的芯片设计只需要非常小的改动(如果需要的话)就能用到到16nm FinFET+工艺上,客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低。

    台积电预计16nm FinFET+工艺在今年9月份就会完全合格,他们还表示95%的晶圆厂都可以使用16nm FinFET+工艺,而目前正在生产以及准备生产20nm工艺的95%晶圆厂都可以上马16nm FinFET工艺,因此台积电预计未来转移到16nm FinFET及16nm FinFET+工艺的时间会很快。

    首批16nm FinFET+工艺芯片流片会在2014年完成,其余45个芯片流片预计在2015年完成,此前台积电公布的今年16nm FinFET工艺芯片流片数量是16个。

    除了16nm FinFET及16nm FinFET+工艺之外,台积电还规划了下下代的制程工艺——10nm FinFET,这是该公司第三代FinFET工艺,在提高性能及降低功耗上有进一步的改进。

    台积电预计,与16nm FinFET+相比,同样的功耗下10nm FinFET的频率提升25%,而同样的性能下功耗降低45%,晶体管密度则是16nm FinFET+工艺的2.2倍。

    目前10nm FinFET工艺还在开发中,2015年Q4季度会进行试产。

    如果进展一切顺利,那么NVIDIA、AMD以及高通公司将在2015年开始使用16nm工艺,2016-2017年间使用10nm工艺。

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