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    3D堆叠成主流 英特尔也尝试研发3D闪存

      [  中关村在线 编译  ]   作者:  |  责编:林光楠
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        三星已经在3D堆叠闪存技术上走在了前列,都发展到了第二代,而与美光常年密切合作的Intel也抛出了自己的重磅炸弹。Intel副总裁、非易失性闪存方案事业部总经理Rober Crooke近日向投资者首次公开展示了Intel 3D NAND闪存。

        据他透露,Intel 3D闪存使用了32层堆叠(和三星第二代相同),其中穿了大约40亿个孔洞用于垂直互联,最终做到单内核容量256Gb(32GB),比普通的2D闪存翻了一番。


    英特尔全新3D闪存-NAND

        Intel目前使用的是MLC闪存颗粒,但已经在设计TLC版本的,单内核容量可轻松达到384GB(48GB)。
    Intel声称,他们可以在2毫米的厚度内做到1TB容量,也即是一个SD卡那么大,而两年后可以实现10+TB容量的固态硬盘。

        Intel计划在2015年下半年发布基于3D闪存的固态硬盘,价格会极具竞争力。
    这种闪存将在Intel、美光合资的美国犹他州工厂生产,使用20+nm工艺,暂时还不是最新的16nm。


        看来3D堆叠内存在未来势必成为主流,不仅NVIDIA和AMD都在尝试研发自家的HBM内存或者HBMe显存。而Intel方面也拿出了自家的3D闪存NAND。不过Intel暂时仅仅会将这样的技术用于闪存,而不是内存。桌面芯片组仍旧采用DDR4为主。

    vga.zol.com.cn true //vga.zol.com.cn/495/4958045.html report 944 三星已经在3D堆叠闪存技术上走在了前列,都发展到了第二代,而与美光常年密切合作的Intel也抛出了自己的重磅炸弹。Intel副总裁、非易失性闪存方案事业部总经理Rober Crooke近日向投资者首次公开展示了Intel 3D NAND闪存。据他透露,Intel 3D闪存使用...
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