AMD新一代旗舰显卡Radeon R9 Fury X上市也有一段时间了,不过新工艺的产能往往会低一些,这款显卡供货不多,往后的R9 Fury以及R9 nano也将受到影响。不过现在他们迎来了好消息,联华电子宣布,他们的TSV穿透硅通孔技术已经进入量产阶段,将可帮助AMD度过产能的难关。
TSV穿透硅通孔技术(或者叫硅穿孔技术)主要应用于HBM堆栈式显存与中介层连接,让各个Die可以穿过下层的其它Die,之后再通过μBump微凸块直通中介层;除此之外,中介层也是采用同样的技术来连接显存与CPU/GPU。
HBM新型GPU有望提高产能
从公告来看,联华电子所负责的就是后面说的这种中介层的量产工作,具体是其位于新加坡的12英寸特殊技术晶圆厂Fab 12i。
不过中介层产能提上来了,接下来AMD还需要解决HBM堆栈式显存的产能,虽然这仍旧不能保证Fury系列显卡的产能和铺货速度迅速提高,但至少给了更多希望。
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