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    三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存

      [  中关村在线 转载  ]   作者:中关村在线   |  责编:赵鑫喆

        三星电子今天宣布,已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),以用于下一代移动设备。据介绍,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。

    三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存

        为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率,三星推出了一套新的独家技术。三星512GB eUFS控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源管理技术,将能源消耗降到最低。另外,512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。

        三星512GB eUFS读写性能也非常强大。512GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s,能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD,相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。

        对于随机操作,三星512GB eUFS可以读取42,000 IOPS并写入40,000 IOPS。基于eUFS的快速随机写入,比传统micro SD卡的100 IOPS速度快大约400倍,移动用户可以享受无缝的多媒体体验,如高分辨率连拍,以及双重文件搜索和视频下载应用程序查看模式。

        另外,三星还计划稳步增加其64层512Gb V-NAND芯片的产量,并扩大256Gb V-NAND芯片的产量,以满足高级嵌入式移动存储以及高密度、高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求。

    vga.zol.com.cn true http://vga.zol.com.cn/669/6692938.html report 1048 三星电子今天宣布,已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),以用于下一代移动设备。据介绍,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率,三星推出了一套新...
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