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钽聚合物VS钽二氧化锰之高频特性篇

小心被忽悠了 2种显卡钽电容区别方法

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 万鹏 责任编辑:李鹏飞 【原创】 2009年03月16日 06:00 评论

● 钽聚合物VS钽二氧化锰之高频特性篇

    ○ 一个是好高骛远 一个是低三下四

    钽聚合物电容居然卖那么贵,除了安全耐压外,当然少不了好性能,否则如何在成本锱铢必争的今天被那些高端
显卡使用呢?


小心被忽悠了 2种显卡钽电容区别方法


    上面的图看不懂没关系,把它做成表供大伙研究:现在显卡使用的PWM普遍工作在100KHZ(也就是100000HZ)左右的开关频率上,在此频率上100UF的钽聚合物电容可以保持99UF的容量,就算有些比较高频的PWM开关在500KHZ频率上其仍然保持64UF的容量,而此时钽二氧化锰电容就可怜了,基本当不了电容用啦。

小心被忽悠了 2种显卡钽电容区别方法

    (不过也可以看出:到了1MHZ的开关频率时可就是MLCC的天下了,所有电解电容都完蛋。)可见钽聚合物电容“好高骛远”的优异高频特性导致其成为高端显卡最佳选择。

小心被忽悠了 2种显卡钽电容区别方法

    上表KEMET公司内部不同钽电容系列产品ESR对比

    至于钽聚合物电容引以为豪的超低ESR特性,是各显卡工程师的最爱,毕竟聚合物的导电率是二氧化锰的100倍,反应到电容的ESR值差异上表现十分明显,要不NV最高端的公版卡为什么都不约而同的采用那么昂贵的钽聚合物电容?

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