据HKEPC报道:宣布推出全球最快-1ns GDDR3 512Mbit显存颗粒,其采用90奈米制程其频率可高达 2GHz,是现时GDDR3速度最快的速度,采用-1ns GDDR3颗粒其频宽可高达8GB/s,将比现时-1.6ns颗速快70%,相信将会用于下代高速绘图显示卡及游戏机之中。同一时间Samsung表示将会正式量产-1.2ns GDDR3 512Mbit内存颗粒,其频宽可达6.4GB.s,而且符合JEDCE的136-Ball Package规格。Samsung同时亦透露将会推出更高速的GDDR1及GDDR2颗粒,其速度可高达-2ns,令中低端显示卡的显存频率水平进一步提高。