显存颗粒发展史揭秘：DDR时代

    走过了SDRAM显存时代，下面我们将进入一个显存速度和带宽飞速发展的DDR时代，下面我们先来了解一下DDR的含义。

    ☆ 名词解释

    DDR SDRAM：DDR是Double Data Rate的缩写，它是SDRAM内存的进化版本。在设计和操作上与SDRAM很相似，唯一不同的是DDR SDRAM在时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据，而SDRAM则只可在上升沿传输数据，所以DDR SDRAM的带宽是SDRAM的两倍。如果SDRAM内存的频率是133MHz，则DDR内存的频率是266MHz。

    ☆ GDDR SDRAM与GDDR2 SDRAM的区别 

    DDR SDRAM之后，随着技术发展逐步出现了DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM和DDR4 SDRAM等显存颗粒：与DDR SDRAM相比，DDR2 SDRAM最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。DDR2显存把DDR显存的“2bit Prefetch(2位预取)”技术升级为“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，在相同的核心频率下其有效频率比DDR显存整整提高了一倍，DDR2 SDRAM显存在目前的低端显卡上我们依然可以看到，例如：Radeon HD 2600Pro和GeForce 8500GT等。

    ☆ GDDR2 SDRAM与GDDR3 SDRAM的区别 

    GDDR3较GDDR2主要有5大改变，分别是：

    逻辑Bank数量：GDDR3起始逻辑Bank为8个，并且还可以扩展为16个逻辑Bank，而GDDR2仅为4 Bank或8 Bank。

    封装：GDDR3在引脚方面有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

    突发长度：由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而DDR2为4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

    寻址时序：DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。

    点对点连接：这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。