全新7nm制程登场
AMD RADEON VII使用了台积电全新的7nm“Vega 20”工艺制程，虽然以目前手里的资料我们还无法判断在架构方面是否有变化，不过从下面这两张Die shot中我大致认为其使用的架构除工艺以外和Vega 10没有太大区别。
Vega 10
Vega 20
不过仅仅是因为工艺上的提升，AMD就把原来为495平方毫米的核心面积缩小为331平方毫米。这也使得AMD能够在上面再放两个HBM2显存，其能够拥有恐怖的16GB显存容量和1TB/S的带宽。
参数方面，AND RAEDON VII拥有132亿个晶体管，60个CU，着色器数量为3840，基础频率1400MHz，加速频率1750MHz，SP性能提升至最高13.8 TFLOPs，显存位宽随着HBM2的提升而增加一倍，达到了4096bit，在这些提升的基础上，功耗仅仅提高了5W。7nm着实恐怖。
Radeon VII与Vega 64/56参数对比
在7nm工艺上，我想多说两句。为什么我们原来总说7nm工艺是整个半导体行业的极限？
其实，就是两个字：漏电。10年之前，我们把工艺的极限定义到65nm，因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍；5年前，我们把工艺掣肘定义到22nm，因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍；而就在不久前，我们嘴里还是说这7nm的工艺节点不可抗拒，原因是即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。
那么我们是怎么突破这一个又一个不可能完成的目标呢？材料的改进。面对65nm，我们使用HKMG（high-k绝缘层+金属栅极工艺），用high-k介质取代了二氧化硅，传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构；而面对22nm，我们发明了finfet和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电；而对于7nm，工业界发现可以用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
而至于工艺的制造商，去年AMD最主要的芯片制造商GlobalFoundries宣布暂缓7nm的开发，因此在三家制造商：Intel、台积电和三星中，AMD选择了台积电。而又因为AMD与GlobalFoundries千丝万缕的关系（GlobalFoundries是从AMD分出去的），AMD也面临着因违反合作遭受巨额赔款的担忧。
不过禁止发稿前，AMD已经和GlobalFoundries修正了协议，GlobalFoundries允许AMD向其以外的晶圆代工厂商购买晶圆。不过AMD必须支付一定额度现金给GlobalFoundries作为代价。（厂商间的博弈远没有我们想象的那么简单）
好像有点扯远了，那么接下来我们就让大家来看一下，这张显卡的内部究竟是个什么样子。
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