作为世界半导体技术的领导者之一，三星电子有限公司近日宣布，其研发的5纳米 FinFET工艺技术已经基本完成，准备好接受客户所发来的设计样品。三星通过对极紫外线（EUV）工艺产品的又一个产品节点的胜利，证明了其在晶圆代工市场的地位仍然是不可撼动的。
与7纳米相比，三星的5纳米FinFET工艺技术可将逻辑区域效率提高25％，功耗降低20％，性能提高10％，从而使我们能够拥有更多的标准单元架构。除了从7纳米到5纳米的功率性能区域（PPA）改进之外，客户还可以充分利用三星的高度复杂的EUV技术。与其前身一样，5纳米在金属层图案化中使用EUV光刻，并减少了掩模层，同时提供更好的保真度。
并且，5纳米的另一个好处是厂商可以将在7纳米上使用的IP直接运用到5纳米上，这将大大降低厂商的迁移成本，应用生态系统以及缩短5纳米的产品开发时间。
自2018年第四季度开始，三星Foundry与其“三星高级代工生态系统（SAFE）”合作伙伴密切合作，为三星5纳米提供强大的设计基础架构，包括工艺设计套件（PDK），设计方法（DM），电子设计自动化（EDA）工具和IP。此外，三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆（MPW）服务。
“成功完成5纳米开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力”，三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们将继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”
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