频率再创新高

　　Radeon RX 580采用14nm FinFET “Polaris 20”核心，核心面积为232平方毫米，共包含57亿个晶体管。基于GCN 4.0架构的该核心共有2304个流处理器，运算单元数量为36个，TMUs总数量为144个，ROPs数量为32个，四个带宽为64bit的双通道显存控制器组成了总量为256bit的显存控制单元，大小为8GB。

注：表中售价均为官方首发限价

　　我们可以看到，Radeon RX 580的默认核心频率已经几乎与RX 480的boost频率持平，而Boost频率则是高达1340MHz，比RX 480高了74MHz，这个频率是目前所有A卡中最高的。RX 580显存带宽为256GB/s，默认Pixel Fillrate能力达到了42.9 Gpiexls/S，默认Texture Fillrate能力为193 Gtexels/S。凭借高频和庞大的运算规模，RX 580拥有6.2 TFLOPS的高单精度浮点运算能力，照比RX 480又提升了0.4T。

Polaris 20架构图

　　GCN 4.0架构Polaris 20芯片由以下主要的部分组成：

　　1、基于三星的14nm FinFET工艺，照比之前的28nm工艺，为每个CU单元带来15%的性能提升，以及高达2.8倍的能耗比提升。

　　2、与“Fiji”相同的宏观并行结构，36组CU单元被分为4个Shader Engines，每个Shader Engines包含9组CUs。每个CU的Shader效率照比前代提升了15%，同时几何引擎也有所改进。

　　3、与Shader Engines一一对应的4组Geometry Unit(几何处理单元)以及4组Rasterizer（光栅化单元）。

　　4、ACE异步计算单元的总量为4组，同时，还有2组全新的，为异步运算设计的HWS加入到架构中。HWS用来更好地对硬件资源进行调度，提高异步运算效率。

　　5、二级缓存是之前的2倍，在降低显存带宽需求的同时改善电源效率，在显存运行上更节能。

RX 580和RX 570详细参数

　　上表是RX 580和RX 570的详细参数，我们可以看到，随着频率的提升，两张卡的单精度浮点运算性能、像素填充率和纹理填充率均有明显上升，不过TDP也水涨船高，RX 580照比RX 480涨了35W，RX 570照比RX 470涨了30W。

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