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线人爆料:揭秘台积电40nm实为45nm工艺


超能网 责任编辑:李鹏飞 【转载】 2009年05月20日 06:35 评论

  著名代工厂台积电(TSMC)于三月份正式推出了业界首款40nm GPU,打破了Intel多年来保持的领军地位,也因此受到了更多的关注。根据我们之前的测试,最先采用40nm GPU的Radeon HD 4770凭借新的制程技术在功耗和性能上有不俗的表现。

  但是近日台积电的密切合作伙伴——Altera公司的CEO John Daane在一次电话会议上表示,直至几个星期之前Altera都还以为正在研发的是45nm技术,而台积电在推出之前突然改变决定,为它更换了一个“马甲”——40nm。这不免让人联想到台积电曾在2007年表示将转入45nm量产的工作,却无缘由地跳过45nm,直接为客户提供40nm的芯片代工服务。

  据称,台积电的40nm在45nm的基础上并无真正改进:台积电40nm芯片的接触栅间隔(Contact gate pitch)为162nm,比Intel 45nm芯片接触栅间隔的160nm还多出2nm,抛开其中的微弱差距不计,两者可以说是处于同一水平。

  我们暂时还无法确认这一点,但是被爆出这样的“猛料”,再加上之前40nm良品率的问题,看来台积电是有得愁了。


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