MOS管外部封装-最新封装形式概览
下面我们介绍主要的MOSFET生产厂商所采用的最新封装形式。
瑞萨(RENESAS)的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装
1、WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装,通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上,通过主板散热,使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET,减小布线电感。
2、LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上,通过散热片散热。
瑞萨WPAK封装
威世(Vishay)的Power-PAK和Polar-PAK封装
Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。Polar PAK是双面散热的小形封装。
安森美(Onsemi)的SO-8和WDFN8扁平引脚( Flat Lead)封装
安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET,其中SO-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。
菲利普(Philps)的LFPAK和QLPAK封装
首先开发SO-8的Philps也有改进SO-8的新封装技术,就是LFPAK和QLPAK。
意法(ST)半导体的PowerSO-8封装
意法半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。
飞兆(Fairchild)半导体的Power 56封装
飞兆半导体的SO-8改进技术叫做Power 56。
国际整流器(IR)的Direct FET封装
1、Direct FET封装属于反装型的,漏极(D)的散热板朝上,并覆盖金属外壳,通过金属外壳散热。
2、Direct FET封装极大地改善了散热,并且占用空间更小,散热良好