整合驱动IC的DrMOS和MOSFET发展趋势

整合驱动IC的DrMOS和MOSFET发展趋势

    传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这样一种整合的方式同时也可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。

瑞萨第2代DrMOS 

    DrMOS的主要特点是：

    - 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。

    - 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。

    - 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。

    - 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。

    - 针对目标应用进行设计的高度优化。

DrMOS性能对比 

低压MOSFET封装趋势

    从上图我们可以很清楚的看出：随着MOS管封装技术的发展趋势，未来对MOSFET的要求将趋于高频率大电流、高密度封装和体积小型化。