看天宫如何炼成 详解DirectFet优势

    通过前面的显卡拆解赏析，我们对这款显卡的霸气用料和强悍做工有了一个大致的了解。而北影GTX560TI天宫最为震撼的是它采用了市面上显卡较少采用的MOSFET—DirectFet MOSFET，该DirectFet是由国际整流器(IR)公司推出一种的全新封装技术，其完全颠覆传统MOSFET的封装形式。下面我们就为各位玩家详解下DirectFet的具体优势。

DirectFet MOSFET实例图

普通MOSFET实例图

    不同于普通的MOSFET所采用的塑料或陶瓷封装，DirectFet采用的是铜金属外壳覆盖。据厂商资料显示：这种DirectFET封装的MOS管不仅转换效率更高，同时发热量更低，散热性能更强，特别有助于提升显卡的超频性能。DirectFET MOSFET体积比起传统的MOSFET体积要小很多，与SO-8 MOSFET相当，而厚度只有0.646毫米，仅与0805电阻相当。而对比普通的MOSFET来说，DirectFet封装没有引脚，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。与SO-8相比，封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱，这都为减少损耗提供了重要保证。而阻抗等降低，意味着更佳的电器性能，大大提高了显卡的稳定性以及超频性。

DirectFet MOSFET 内部结构图

    DirectFET封装和传统封装不同的是：漏极裸露的铜片通过两边的焊盘和PCB连接在一起，和PCB有很大的接触面积，利于传导电流。同时由于DirectFET外壳全部采用铜片，而非塑料外壳，底部依然可以透过PCB散热，而顶部由于表层为金属外壳，通过快速的气流通性可以快速散热，实现双面冷却效果，散热效率大大高于传统MOSFET，而更低的温度可以为显卡带来更长的寿命以及更稳定的工作环境，也能大幅度提高其超频性能。

传统MOSFET内部结构

    再者：传统MOSFET导通时，电流的途径是从漏极，经过封装引脚，通过焊线打开的通道流向源极，而经过如此繁多的步骤，对MOSFET的性能带来的影响是肯定的，电流损耗等等都会受到极大影响。而DirectFET MOSFET的电流则通过两边的大垫片流到背面的铜箔，然后通过源极的焊盘直接流向PCB，整个途径完全是依靠大面积铜片连接，而薄铜片的电阻比其他MOSFET的电阻要低出不少，因此也就很大程度上减少了MOSFET的损耗，更低的电阻带来更强的效能，也让显卡超频、稳定性大大提升。

采用DirectFET MOSFET的北影GTX560 Ti 天宫

    据相关测试数据显示：DirectFET MOSFET在40A的情况下能够保持高达89.09%的转换效率，远大高于普通MOSFET的80%。而温度上优势更加明显，DirectFET MOSFET在测试中上桥MOS约为46度、下桥MOS约为49度，而普通MOSFET已经高达上桥MOS 56度、下桥MOS 60度，差距足足有10度，可见DirectFET MOSFET封装、设计上的优势是非常明显。终上所述，采用了DirectFET MOSFET的MOS管，其性能、温度、稳定性和寿命均得到了极大的提升，而正是借助这些“航天级”的用料，北影GTX560TI天宫显卡方可在品质上得到大幅度的提升。