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华硕双核ARES显卡做工拆解

让AMD望而生畏 华硕双核Ares独家拆解

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 濮元恺 责任编辑:龚力成 【原创】 2010年07月20日 06:04 评论

    ● 华硕双核ARES显卡做工拆解

    华硕双核ARES显卡版搭载的2颗RV870核心由台积电(TSMC)采用40nm工艺生产,每颗核心拥有1600个流处理器、32个光栅处理器和80个纹理单元。此次AMD的产品线升级,最重要的就是完美支持DirectX 11 API和加入Tessellation功能,而且值得一提的是DirectX 11 API中新加入了Direct Compute Shader,这也是微软在GPU通用计算上的一次大踏步跃进,而且这也证明GPU未来在通用计算领域的重要性。


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华硕双核ARES显卡核心

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华硕双核ARES显卡显存颗粒

    显存方面采用了4GB GDDR5显存的容量,默认核心、显存频率高达850/4800MHz。

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华硕双核ARES显卡GPU-Z信息

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华硕双核ARES显卡PCB板全貌

    众所周知,Radeon HD 5870采用了有别于其他产品的4+2+1供电设计,在相当于两片Radeon HD 5870的华硕双核ARES显卡也有类似供电模组设计。核心供电采用了CPAL-3-50 13CH10D耦合电感,同时每相再与VT1157SF芯片和陶瓷贴片电容组合了豪华的核心供电。

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华硕双核ARES显卡PCB板

    显存方面采用了1相设计,每相同样采用屏蔽式电感和PWM/MOSFET整合电源芯片组成。

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华硕双核ARES显卡供电部分

    同时还有采用CPL-2-50 17CH09 I的2相耦合电感的辅助供电模组,笔者分析其将平均分配到两套供电模组中。

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华硕双核ARES显卡“左右双卡”

    上面两张图片比较清楚的区分了这款显卡的构成。

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华硕双核ARES显卡“核心联外IO(input/output)”供电

    VDDCI为“核心联外IO(input/output)”供电,以往联外供电都是由核心供电一并完成,不足为干扰核心供电品质,导致GPU不稳定,从HD5870系列向上,ATI现在将VDDCI供电单独设计,专门满足核心联外供电的需求,同时核心供电也变为GPU独享,可以大幅提升整体稳定性。

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PLX PEX8647桥接芯片与配套供电

    PLX PEX8647是一颗PCI Express Switch芯片,PCI Express Switch顾名思义,就是指PLX PEX8647可以提供PCI-E通道的功能,在显卡上实现通过PCI-E通道进行工作和数据交换,而不需要通过主板的PCI-E通道,可以理解为一种“欺骗”显卡核心的手段,让GPU认为是在和主板相连,从而实现CrossFire等技术。

    PLX PEX8647相对于PEX8547的最大改进就是对于PCI-E 2.0的支持,内部互联带宽从6GB/s大幅提升至21.8GB/s,最多支持48条的PCI-E通道,可支持拆分最多成3个连接端口,支持3芯片互联。单个连接最高支持16条PCI-E。并且功耗相比PEX8547也低了20%,仅为3.9W。

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华硕双核ARES显卡与公版对比

    实际上它就是增强版或者说重新设计过的HD5970。因为PCB的彻底推到重来和用料方面的改进,这款显卡得以让GPU获取更高的运行频率,同时给玩家留下更大的挖掘空间。对比两款PCB的供电模组能够了解到,每颗GPU的核心供电均有3相升级为4相,而且可以看到公版Radeon HD 5970其实是预留4相供电设计的,但预存留一相,而在华硕双核ARES显卡上补全。

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