● “大E”细节回顾

    作为对决的新选手，我们有必要了解一下新一代“大E”的架构及规格。以Haswell-E的旗舰i7-5960X为例，它提供了高达40条PCIE 3.0通道。这对于使用多显卡互联的用户来说至关重要。运行通道方面，单卡为x16，双卡为x16/x16，三卡为x16/x8/x8，而四卡为x8/x8/x8/x8。相较Haswell Refresh平台i7-4790K和i5-4690K的16条PCIE 3.0通道而言（单卡x16，双卡x8/x8，三卡x8/x4/x4，四卡x4/x4/x4/x4），i7-5960X的40条PCIE 3.0通道对于多显卡用户来说确实显得必不可少（i7-5930K处理器同样配备了40条PCIE 3.0通道）。

DDR3内存（上）与DDR4内存（下）对比，缺口位置明显不同

DDR4内存标准电压为1.2V（DDR3为1.5V）

DDR4内存拥有弯曲弧度的金手指

    Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E/SNB-E的DDR3原生1333MHz可以说是一个质的飞跃。今后，我们将不可避免的看到3000MHz以上的DDR4内存“横行霸道”。

X99芯片组与X79芯片组规格对比

    对两代“大E”进行简单对比，我们不难发现两者的区别。Haswell-E平台CPU核心为8和6，IVB-E为6和4；Haswell-E处理器的三级缓存最大为20MB，而IVB-E处理器的三级缓存最大为15MB；尽管CPU均支持40条PCIE通道，但X99芯片组支持单一设备占用28条通道，而X79则没有，不过这需要相关产品支持雷电技术；图形显示方面X99芯片组更是支持5条x8通道运作，不过这需要第三方桥接芯片作支持；内存由四通道DDR3变为了四通道DDR4；同时，Haswell-E处理的的TDP（热功耗设计）也由IVB-E处理器的130W小幅提升到了140W。

Haswell-E“中档”i7-5930K

    与我们正在使用的3970X相比，同为6C12T的Haswell-E“中端”型号5930K在规格上最为接近，这就给了我们一次横向对比两代“大E”架构效率和单位性能的机会。Haswell-E架构的游戏性能究竟如何，它是否是终极游戏发烧友的必备之选，就让接下来的以GeForce GTX Titan/770/760/750Ti为目标的测试来回答我们吧。