当存储不再成为瓶颈

    围着楼房说了这么多，相信大家对堆叠内存的基本特点已经有所了解，接下来我们该恢复严肃风格了。堆叠内存体系在技术上已日趋成熟，虽然还面临一些成本控制以及稳定性等细节问题，但随着各个厂商实验性生产的成功，其实际部署已经近在眼前。

堆叠内存将在短时间以内大量出现

    由于市场对存储性能以及容量的需求，2015年将是堆叠内存大批量上市的一年。我们在前页已经提及，无论是海力士的HBM还是镁光/三星的HMC，各个主要的存储器厂商已经开始出货堆叠内存的样品，海力士的HBM将提供给AMD并成为其新一代GPU架构显卡产品的显存；镁光的HMC则会发布工程样品，并开始为在高性能计算（HPC）领域的用户供货，这些用户包括了Intel正在研发第二代Xenon Phi处理器以及NVIDIA正在研发的下一代GPU架构Pascal。三星也在堆栈DRAM方面有进展，采用“Widcon”技术的第二代Wide I/O方法获得验证，配合这种3D形式堆叠内存的下一代Exynos处理器将用于消费电子领域。

NVIDIA基于HMC体系的3D memory技术

    随着一系列产品的到来，很多过去仅存在于想象当中的意义将会变的具体，我们将会很快亲身体会到堆叠内存为我们的生活带来的变化。

    首先，堆叠内存可以在同样的PCB面积占用量上实现翻倍甚至数倍的内存容量，而且并不会因此而导致功耗及发热的激增，这将大幅提升内存/暂存体系的容量提升速度，同时进一步拉低存储体系的单位成本。无论内存、显存还是基于NAND的SSD，甚至是手机和平板电脑，都将会从中明显获益。如果考虑到3D模式对SoC芯片封装形式的影响，也许智能移动平台的获益还会更大。1TB甚至更大容量的内存，更廉价的大容量固态硬盘，搭载海量显存的显卡，以及拥有更多存储空间的手机/平板电脑/智能穿戴设备，在2015年之后都将不再是奢求或者梦想。

不同的封装形式能够进一步拓展堆叠内存的应用范围

    其次，堆叠内存能够以大并行存储模式大幅提升存储带宽，同时通过减少互联线长明显降低了信号延迟，这将对内存体系的性能提升产生明显的推动作用。所有受内存性能影响的逻辑运算单元，包括CPU和GPU都将会因此而面临新的机会。更大的内存带宽不仅能够给CPU/GPU的更高效运算提供保障，还会深刻的影响逻辑结构的研发方向。未来一直两个产品周期内，我们将会因此而迎来CPU/GPU架构及性能的新一轮革命。

应用堆叠NAND颗粒的固态硬盘产品已经问世

    除此之外，得益于容量的激增、性能的提升以及功耗的降低，堆叠内存对HPC领域的影响将前所未有的巨大。无论CPU节点还是GPU节点，突破存储墙瓶颈都将会加速百亿亿次运算目标的达成并促成新的技术发展，这种发展对PC领域的中长期影响是无可估量的。

新的革命，将从这里开始

    毋庸置疑，堆叠内存是一次存储体系的重要革命，在经历了多年单纯的速度/频率/信号传输模式发展之后，存储体系终于从2维走向了3维空间，实现了存储模式的本质变化，我们甚至可以认为堆叠内存是内存体系发展史上的“第一次直立行走”。可以预见的是，一旦堆叠内存正式部署，存储市场乃至整个PC业界就再也离不开这项技术了。我们的未来，将会完全融入到这次内存直立行走的变革当中，能够从中收获的好处，也许会超过任何人的想象。

    不要再留恋过去了，让我们一起带着希望迎接由堆叠内存开启的美好未来吧。