30亿晶体管 打造GF100和GF110核心

30亿晶体管 打造GF100和GF110核心

        ● 不得不说的秘密 NVIDIA GTC 2010

        在今年9月的NVIDIA GTC 2010大会上，笔者被邀请前往美国参加此次盛会，同时还有幸参观了NVIDIA位于硅谷的总部。在总部参观过程中的一站为GTL（Game Test Lab）部门，这个部门是针对已发布、未发布和对手已发布的全线产品进行全面游戏性能测试，因为GTL实验室是NVIDIA“游戏之道”的一个重要环节。

        而在此次GTL实验室的参观中，笔者看到了今天才发布的GeForce GTX 580，由于受限于保密协议所以不能进行报道，而且值得一提的是除了GeForce GTX 580之外，其他未发布产品也在此次参观中偶遇，也就是说NVIDIA早已有了第二代DirectX 11产品，但并没有急于发布，也许是为了保守的针对对手见机行事。

神秘产品及测试数据

        在GTL实验室报道中这张被笔者“精心”涂抹的照片信息，其实就是GeForce GTX 580单卡及SLI性能的官方测试数据。

        ● 同为30亿晶体管 打造GF110核心

        GF100核心使用了30亿晶体管“联袂打造”，而GF110同样由这个数量晶体管制造。而且GF110核心与GF100核心使用了完全相同的架构设计，也就是说无论从架构设计、规格设定还是功能均相同。那么GF110是否就是GF100的满规格产品呢？

40nm工艺的GF110-375-A1核心

        GeForce GTX 580使用了台积电采用40nm工艺制造的GF110-375-A1核心，其由30亿晶体管构成，默认标配512个流处理器、48个光栅处理器、64个纹理单元和384bit显存控制器等。

        虽然GeForce GTX 580为NVIDIA第二代DirectX 11产品，但是这款GF110核心实在难逃与GF100之间的关系。不仅核心架构、规格和功能上相同外，即使是核心型号上也与GeForce GTX 480的GF100-375-A1仅为一字之差。

        不过GF110并非GF100核心的简单满规格产品，因为GF110是在GF100核心基础上重新设计布线，目的是修正GF100的高漏电性，从而达成低温低功耗的表现。同时GF110还优化了Z-Cull，令其实现了单周期16 位纹理双线性取样。经过这样优化后的GF100核心演变成了我们现在看到的GF110核心。

配置12颗SAMSUNG K4G10325FE-HC04显存颗粒

         GeForce GTX 580显存方面配置了12颗规格为16M*32bit的SAMSUNG K4G10325FE-HC04颗粒，构成384bit/1536MB的组合。

GPU-Z软件识别情况

        目前最新版本的GPU-Z仍然无法正式识别GeForce GTX 580，例如上图中很多关键参数都无法识别，同时显存颗粒还被识别为GDDR3。不过显存容量和显卡频率识别正确，显存容量为1536MB，公版默认频率为772MHz/1544MHz/4008MHz。

        这张表格详细的介绍了GeForce GTX 580的硬件规格。其有512个流处理器，每32个SP构成一组SM，同时标配1个Polymoph Engine（该引擎包含重要的Tessellation单元），也就是说GF110拥有目前单芯最多的16个Tessellation单元。同时每4组SM构成一组GPC，标配一组Raster Engine。

        GF110这种32个SP构成一组SM的设计，与GF104、GF106和GF108的设计48个SP构成一组SM不同，也许就单SM性能而言GF10X核心的性能更高，单并不适合旗舰的GF110和GF100使用，因为更多的CUDA Core被统一调度，架构设计越扁平化效率越高。

         GeForce GTX 580的TDP为244瓦，略低于GeForce GTX 480网上传闻的250瓦或者275瓦。